第三代半導(dǎo)體材料以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等為代表，在電和光的轉(zhuǎn)化方面性能突出，在微波信號輸出方面的效率更高，可廣泛應(yīng)用到照明、顯示、通訊領(lǐng)域。

功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心。功率半導(dǎo)體主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等，是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，一般可以分為功率 IC 和功率分立器件兩大類，其中功率分立器件主要包括二極管、晶閘管、晶體管等產(chǎn)品，晶體管又可以分為IGBT、MOSFET和雙極晶體管等。